界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口层的纵向输运特性和非晶硅电池的光态暗态曲线,发现p-a-SiC:H和p-nc-Si:H纵向电导率低、电学输运性能较差,而p-uc-Si:H在i/p界面处能带和晶格结构不匹配,增加界面处的载流子复合.将优化的混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H薄膜作为p型窗口层用于n-i-p型非晶硅电池,通过i/p界面处理技术及缓冲层工艺的优化,使非晶硅薄膜电池的性能,尤其是界面复合得到明显改善,最终获得了高效非晶硅电池(Voc=0.95V,Jsc=11.3 mA/cm2,FF=73％,Eff=7.8％).
非晶硅太阳电池 等离子体增强化学气相沉积工艺 射频技术 光电性能
马峻 倪牮 张建军 刘群 耿新华 张晓丹 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071
国内会议
北京
中文
380-387
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）