利用直流控射方法制备具有高迁移率、高红外透过的ZnO:H薄膜

摘要：

对于传统的AZO、GZO来说要想实现其高电导就必须提高掺杂浓度来提高载流子浓度,然而过高的载流子浓度对红外光的吸收异常严重.本文通过引入氢气作为掺杂源,利用磁控溅射方法生长ZnO:H薄膜,在维持电学性能不变的前提下降低载流子浓度提高迁移率,减少对近红外光的吸收,以此来权衡光学与电学特性,实现让更多的光尤其是红外光透过并进入吸收层来提升电池效率.

关键词： 掺氢氧化锌薄膜 直流控射工艺 电学性能 数值分析

作者: 梁俊辉 陈泽 梁雪娇 赵颖 张晓丹 黄茜 张德坤 孙建 魏长春 王延峰 田淙升 刘杰铭

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室,天津, 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 388-393

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）