纳米硅薄膜性能研究及其对太阳电池性能的影响
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,通过硅烷浓度的优化,得到了比较均匀的晶化率纵向分布.当厚度小于1984nm时,薄膜随着厚度的增加其晶化率在64.8％-66.9％之间变化.XRD的测试结果表明所制备的纳米硅材料呈现出(220)方向择优.研究了面内晶化率均匀性对电池性能的影响,结果表明晶化率越低,非晶硅/纳米硅双结电池底电池QE电流越低.经过纳米硅本征层纵向及面内晶化率的优化,使电池性能得到大幅度提高,获得0.79m2全面积初始转换效率为12.44％(Voc=98.36V,Isc=1.354A,FF=74.0％)的非晶硅/纳米硅叠层太阳电池.
纳米硅薄膜 组织结构 光电性能 太阳能电池
曲铭浩 张津岩 郁操 胡安红 徐希翔
铂阳装备集团公司研发中心 汉能创昱科技有限公司
国内会议
北京
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398-402
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）