ZnSe薄膜的制备及掺杂研究
ZnSe是一种宽禁带的□-□族半导体材料,适宜作为太阳电池的窗口层.通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性,一方面在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;另一方面采用共溅射法制备了ZnSe掺A1薄膜.最后,对制备的薄膜进行了成分、结构、光学和电学性质表征.发现在不同沉积温度下可分别得到六方相和立方相的ZnSe,掺杂后的薄膜光学吸收边发生变化,并得到了N型和P型导电的薄膜,掺杂薄膜的暗态电导率随温度的变化偏离了Arrhenius关系,表明杂质的引入影响了ZnSe的电学性质.
硒化锌薄膜 磁控溅射工艺 掺杂改性 理化性质
朱喆 王文武 高静静 罗光灿 武莉莉 李卫 冯良桓 张静全 黎兵 曾广根
四川大学材料科学与工程学院
国内会议
北京
中文
37-43
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）