高密实率Cu(In,Ga)Se2陶瓷靶材制备和性能研究

摘要：

采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材.考察了烧结温度、压力对靶材的相组成、形貌、成份的影响.实验结果表明,在烧结温度较低时,首先获得CuInSe2三元黄铜矿相结构,随着烧结温度的升高,Ga元素不断向CIS中扩散,并获得均质的CIGS四元靶材.通过增大烧结压力,可以提高靶材密度.烧结时间的延长,对靶材的密实率没有明显影响.在烧结温度900,烧结压力45MPa的条件下,获得了超过96％的靶材密实率.

关键词： 铜铟镓硒陶瓷靶材 热压烧结工艺 参数优化 理化性质

作者: 李晓龙 庄大明 赵明 刘江 谢敏 曹明杰 欧阳良琦 郭力

作者单位: 清华大学材料学院,先进成形制造教育部重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 70-74

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）