脉冲激光沉积法制备CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜的结晶性和电学性能
提出了制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的一种设想,即借助脉冲激光沉积法(PLD)制备电池的钼层、铜铟镓硒吸收层和CdS缓冲层.借助脉冲激光沉积法把CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜沉积到钼薄膜覆盖的钙钠玻璃上,XRD和拉曼光谱测试表明:室温衬底下沉积的CIGS薄膜具有非晶结构,随着衬底温度从200升高到500,CIGS薄膜的结晶度增强,最大晶粒尺寸达19.75nm.霍尔测试表明400衬底温度下薄膜的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率达到1018cm-3、2.722cm2V.1S-1、2.839Ωcm,适合作为铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层.
铜铟镓硒薄膜 脉冲激光沉积工艺 结晶度 电学性能
赵雨 赵春江 刘永生 陈东生 许宁 刘徐君 关雷磊 李惠
上海电力学院太阳能研究所,上海201300 复旦大学光科系,上海200433
国内会议
北京
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109-113
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）