不同SILAR次数对铜铟掺杂CdS QDSCs性能的影响
介绍了在TiO2介孔膜上制备Cu,In双掺杂CdS量子点(TiO2/Cu-CdS/In-CdS),且着重介绍了不同SILAR次数对铜铟双掺杂CdS量子点敏化太阳电池性能的影响.实验结果表明:当Cu-CdS的掺杂比例为1:100,In-CdS的掺杂比例为1:5时,短路电流密度、开路电压和光电转换效率随Cu-CdS的SILAR次数、In-CdS的SILAR次数的增加而增加.当Cu-CdS和In-CdS的SILAR次数均为4次(TiO2/Cu-CdS(4)/In-CdS(4))时,电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率均达到最高.进一步增加SILAR次数,电池的上述参数均明显降低.
量子点敏化太阳电池 掺杂改性 连续离子层吸附与反应法 光电性能
李琳 邹小平 周洪全 高彦艳 何胜 滕功清
北京信息科技大学理学院,北京市传感器重点实验室,教育部现代测控技术重点实验室,北京100101
国内会议
北京
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296-303
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）