重钴掺杂单晶硅的光电特性

摘要：

通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05％.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.

关键词： 重钴掺杂单晶硅 离子注入技术 光电特性 数值分析

作者: 周玉荣 刘丰珍 张平

作者单位: 中国科学院大学,北京100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 432-435

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）