基于漏电流测量的集成电路老化预测方法
NBTI已成为纳米集成电路生命周期内可靠性的一个主要威胁,为防止集成电路由NBTI引起的电路失效,集成电路老化程度的在线预测得到广泛研究.然而不断增加的参数偏差、设计复杂度、及面积开销导致基于延迟变化的老化预测方法越来越难以实施.本文提出一种将关键路径漏电流变化量从全芯片漏电流测量结果中分离的方法,并将该方法应用于NBTI引起的电路老化预测.在施加一组测量向量的前提下,芯片级的漏电流变化首先构成一个方程组,通过解方程组可以得到关键路径上门电路的漏电流变化量;然后通过将门电路漏电流变化和延迟变化的对应关系,可得到任意关键路径的延迟变化;最后通过关键路径延迟变化来预测电路老化.使用片外传感器的漏电流变化测量方案对噪声不敏感,在增加测量时间的代价下可有效消除工艺偏差对预测精度的影响,实验结果表明该方法可用来预测NBTI引起的电路老化.
晶体管集成电路 老化预测 漏电流测量 工艺偏差
邱吉冰 韩银和 靳松 李晓维
中国科学院计算技术研究所 北京 100080;计算机体系结构国家重点实验室 北京 100080;中国科学院大学 北京 100049 华北电力大学 保定 102206
国内会议
重庆
中文
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2013-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）