一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS

摘要：

本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。借助数值仿真和理论分析,从击穿特性、直流特性和频率特性三方面,对新结构开展深入创新研究。本文提出新结构,具有击穿电压高、导通电阻低、饱和电流大,亚阈值摆幅小及截止频率高等优点,对于研究新一代高性能SOI射频集成电路具有重要的理论意义和实践意义。

关键词： 射频集成电路 结构设计 横向变厚度 击穿电压 频率分析 数值仿真

作者: 徐琴 郭宇锋 刘陈 花婷婷

作者单位: 南京邮电大学电子科学与工程学院 南京 210003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十三届年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 158-165

在线出版日期: 2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）