射频溅射制备Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜
采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气压及溅射功率下得到的薄膜的成分,比较了不同热处理温度下的薄膜的组织和相.结果表明:采用射频在硅基片上溅射Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,薄膜成分与靶材成分相近,溅射时,氩气工作压强对薄膜成分有一定影响,溅射影响不大,溅射功率对薄膜成分有较大的影响;薄膜经450℃退火2h后,已经形成一定的晶态结构,薄膜经600℃退火2h后,晶化程度提高.
镍锰钙磁性合金 形状记忆效应 单晶硅基底 射频溅射工艺
何亮 钱士强 薛春辉 卢寅蓓
上海工程技术大学材料工程学院, 上海 201600
国内会议
上海
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2008-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）