GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技术,大幅度提高低密度量子点生长成功率.对两个空间间隔为40um的InAs单量子点的光子散射场与场、光子与光子相关性测试中,发现单光子相干散射干涉可见度达20％,两个不同量子点发射的光子具有不可分辨性,双光子干涉可见度达40％.采用淀积Ga液滴在纳米线侧壁生长出量子点、量子环、量子双核等新奇结构.基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点,设计了一种新型分叉纳米线腔结构,并研究了其单光子发射效应.
超晶格半导体 低维材料 分子束外延生长 元器件
牛智川 尚向军 王国伟 徐应强 任正伟 贺振宏 倪海桥 李密锋 喻颖 王娟 王莉娟 查国伟 邢军亮 徐建星 向伟
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083
国内会议
上海
中文
5-5
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）