256×1元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器
InAs/GaSbⅡ类超晶格是近年来迅速发展起来的Ⅲ-V族红外探测器，根据理论计算，超晶格红外探测器在长波波段的探测性能更有优势，近年来，InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器的关键性能获得了迅速提高，显示了优良的应用前景。本篇文章报道了256×1元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外线列探测器的研究成果。实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料，器件采用PBIN结构，长波超晶格结构为15MLCInAs)/7ML CGaSb)，中波势垒层结构为(7ML)InAs/(7ML)GaSb，吸收区为200周期未掺杂的长波超晶格材料，最后是50周期的N型长波超晶格材料，顶层为用来做金属接触的InAs层，从生长得到的器件材料X射线衍射图，长波超晶格1级卫星峰的全宽半高峰(FWHM)为36弧秒，显示了材料的晶格质量完整。
砷化铟超晶格红外探测器 锑化镓超晶格红外探测器 结构特征 分子束外延技术
许佳佳 周易 徐志成 白治中 王芳芳 徐庆庆 曹妩媚 陈建新 何力
中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中科院上海技术物理研究所,上海 200083 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中科院上海技术物理研究所,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049
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18-19
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）