Ag/Si二维晶格的生长控制和结构研究
Ag/Si体系作为一种重要的金属/半导体界面体系,一直受到科学工作者的关注.近年来,石墨烯、硅烯等二维材料因其新奇优异的物理特性和巨大的应用前景,引起了人们极大的研究兴趣.最近的实验研究发现,银表面是目前已知的制备硅烯的最佳衬底.考虑到硅烯材料在半导体器件中的兼容性,可将Ag/Si体系作为一种可能的基底选择.这对于Ag/Si体系的研究提供了新的思路,也对其界面结构的理解和生长控制提出了更高的要求.为此,在超高真空条件下,采用分子束外延生长方法,在银修饰的硅表面上制备有序的Ag和Si的二维结构.通过调节温度、覆盖度和退火条件等参数,控制表面二维结构的形成.利用扫描隧道显微镜等表征技术研究不同条件下获得的Ag/Si体系,对比分析其界面结构及形成机理.
半导体器件 汞二维晶格 硅二维晶格 分子束外延生长 界面结构
胡蔚 周颖慧 陈晓航 詹华瀚 王惠琼 康俊勇
厦门大学物理系,福建厦门 361005
国内会议
上海
中文
26-26
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）