张应变对Ge迁移率的改善

摘要：

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000℃高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

关键词： 集成电路 半导体技术 锗材料 迁移率 张应变量 分子束外延

作者: 王凯 龚谦 周海飞 康传振 严进一 柳庆博 王庶民

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;Department of Microtechnology,Chalmers University of Techn

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 31-32

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）