图形化Si衬底上Ge量子点的生长
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge量子点的可控生长有了重要进展.在本文中,主要研究了图形化Si衬底上Ge量子点分子的生长.图形化Si衬底可采用纳米球刻蚀技术或电子束曝光等方法制得.最终在Si衬底上得到了底部有四个尖角的坑.在Ge的生长过程中,Ge原子优先在坑底部的四个尖角处聚集成核并生长成Ge岛.因此,每个坑内都生长有四个Ge量子点,组成Ge量子点分子.而这样的量子点分子将为量子点耦合方面的研究以及新型器件的设计等方面带来广阔的应用前景.
集成电路 制造工艺 锗量子点 可控生长
雷卉 张永 周通 吴珊 钟振扬
表面物理国家重点实验室,复旦大学,200433 上海 武汉光电国家实验室,华中科技大学,430074 武汉
国内会议
上海
中文
33-33
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）