GaAs基1.3微米高性能InAs量子点激光器研究
新一代高速光通信网络的城/局域网迫切需要低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光发射光源.可是,目前市场上主流的光通信用长波长半导体激光光源,例如InP基1.3微米量子阱激光器,很难满足这些要求.特别是,该激光器有一致命缺点:输出随温度明显变化,为了保持激光器输出随温度变化稳定,需要外加致冷和控制装置,这势必会导致器件制作成本以及功耗显著增加,同时也不利于激光器与其他光子器件集成.本论文介绍本领域发展现状基础上报道朝向实现这一高性能长波长GaAs基量了点器件所开展的研究工作及取得的一系列成果，包括高性能1.3微米，lAs/GaAs白组织量了点材料MBE生长、器件制备以及它们性能研究。特别是，建立了实现高性能1.3微米量了点器件的材料生长和器件制备技术，实现了超低阑值电流密度1.3微米量了点激光器室温连续激射，对应的每层阑值电流密度仅为27.8A/cm2;证明了高特征温度1.3微米量了点激光器，其特征温度高达500K以上;实现了高速直接调制1.3微米量了点激光器，其室温调制速率最高可达12Gb/s，并且经过25 km光纤传输后仍能维持10Gb/s眼图的张开。这些材料和器件的性能指标均达到或接近国际最好水平。
半导体激光器 器件材料 制备技术 性能指标
杨涛 季海铭 杨晓光 罗帅 王占国
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083
国内会议
上海
中文
34-35
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）