InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器
波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更好.在之前的工作中,本文描述了在InP基InAlAs异变缓冲层复合衬底上生长InAs/In0.53Ga0.47As量子阱,该量子阱室温光致发光波长达3.05μm.本文阐述了在InP基InxAl1-xAs数字递变缓冲层上生长InAs/In0.6Ga0.4As量子阱激光器.77K时,该激光器实现激射波长2.7μm,对应的阈值电流密度为145 A/cm2.在400 mA的连续注入电流下,激射功率超过5 mW.
量子阱激光器 磷化铟基材料 制造工艺 结构分析 外延材料
曹远迎 张永刚 顾溢 陈星佑 周立 李好斯白音
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
国内会议
上海
中文
42-43
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）