低密度InAs/GaAs量子点的GSMBE生长
单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源被认为是最有潜力的单光子源.要孤立出单个量子点,关键是生长出低密度的量子点.本文利用气源分子束外延(GSMBE)技术,以Stranski-Kranstanow(S-K)应变自组织模式在GaAs衬底上低密度InAs量子点.采用低生长速率的方法,优化了量子点的生长速率,将量子点的密度控制在1×108cm-2,量子点常温发光波长在1218nm,可以用于制作单光子源.
化合物半导体 砷化铟量子点 砷化镓量子点 外延生长 单光子源
岳丽 龚谦 严进一 汪洋 柳庆博 成若海
中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,2000
国内会议
上海
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46-47
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）