会议专题

Mn,Fe共掺ZnO电子和磁学性质研究

基于密度泛函理论,系统研究了Mn,Fe共掺ZnO的电子和磁学性质,以从理论上提供制备高居里温度的ZnO稀磁半导体的方法.通过对态密度的分析表明:共掺后稳定的铁磁性主要是由于费米能级附近Mn3d,Fe3d以及O2p之间强烈的p-d杂化效应所导致.此外,缺陷特别是氧缺陷也是获取高居里温度ZnO材料的一种方法.

稀磁半导体 制造工艺 氧化锌材料 密度泛函理论

曹华伟 芦鹏飞 张显龙 俞重远

北京邮电大学信息光子学与光通信研究院国家重点实验室

国内会议

第十届全国分子束外延学术会议

上海

中文

51-52

2013-08-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)