氧化镓薄膜的紫外光敏特性
本文采用分子束外延在(0001)取向的蓝宝石基片上生长p-GazOs薄膜，并初步研究了其光响应特性。Ga分子束流采用K-Cell提供，氧分子束流采用RF氧等离子体源产生。氧气流量为1sccm，射频源功率为300W，氧分压约为1.5x10-5Torr，基片温度约为760μ，生长2小时后p-GazOs薄膜的厚度约为100nm。采用电子束蒸发，结合剥离工艺，在所生长p-GazOs薄膜表面制作MSM义指结构光电导型光传感器，并在N2气氛下后退火5min，叉指宽度、叉指间距和指长分别为3um,3um和96um，器件光敏面积约为0.013mm2。在强度为μw/cm2、波长为254nm的紫外光源照射下，采用Agilent 4155B测量器件I-V特性。
宽禁带半导体 氧化镓薄膜 紫外光敏特性
刘兴钊 岳超 王伟
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
国内会议
上海
中文
53-54
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）