金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究

摘要：

本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。衬底首先在As束流保护下加热至620℃保持一个小时，以生成金滴同时去除衬底表面氧化膜。

关键词： 光电子材料 纳米线 分子束外延生长

作者: 尹志军 高汉超 张朱峰 许晓军 李忠辉

作者单位: 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 56-57

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）