Ge衬底上Er2O3薄膜的局域电学性质及退火行为在位研究

摘要：

近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原子力显微镜(CAFM)研究了Ge衬底上Er2O3薄膜的局域电学性质.利用原子力显微镜的原位定位技术,还实现了退火对薄膜电学性质影响的原位研究.

关键词： 薄膜电子学 三氧化二铒 锗衬底 电学性质 退火行为

作者: 冀婷 张海月 王伟 杨新菊

作者单位: 太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室,太原,030024 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 58-59

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）