3μm以上中红外InGaAsSb/AlGAInAsSb量子阱分子束外延生长
锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化物量子阱发光器件可以广泛应用于环境监测、生物医学、泄露监测、激光制导、红外对抗等领域.本文通过对InGaAsSb/AlGaInAsSb量子阱材料的光致发光特性研究,分析了生长参数对量子阱发光性能的影响,优化了3μm以上量子阱MBE生长参数,为锑化物发光器件外延生长奠定了坚实的基础.
锑化物半导体材料 量子阱 分子束外延生长 光致发光
邢军亮 张宇 王国伟 王娟 向伟 任正伟 徐应强 牛智川
超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
上海
中文
65-66
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）