InP基双异质结双极晶体管和超高速电路

摘要：

针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGaAs/InGaAsP材料为消除集电极导带尖峰、减小电流阻挡效应实现的组分渐变结构。

关键词： 混合电路 磷化铟基材料 异质结构 双极晶体管

作者: 金智 苏永波 丁芃 姚鸿飞 张毕禅 宁晓曦

作者单位: 中国科学院微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 67-68

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）