InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长研究
InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“epi-ready”掺Fe一InP (100)衬底。固态源Ga、In的纯度为7N,Al为6N。Si是N型掺杂剂。GSMBE生长外延结构时，Si-b掺杂技术是本文的研究重点。通过分别调整Si的掺杂温度和掺杂时间，研究si-delta掺杂行为对二维电子气和迁移率的影响。确定Si的最佳掺杂温度在1260-1260℃之间，掺杂时间在6或7s。
高电子迁移率晶体管 磷化铟基结构材料 分子束外延生长 掺杂技术
周书星 滕腾 艾立鹍 徐安怀 齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
国内会议
上海
中文
69-70
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）