分子束外延生长高空穴迁移率InGaSb/AlGaSb量子阱
高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用。近年来，Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器件的热门材料。然而要实现Sb化物材料CMOS逻辑电路关键的p型沟道场效应管，一个挑战性难题是如何大幅度提升p型沟道空穴迁移率。本文在InAs/AlSb高电子迁移率晶体管研究基础上，用VEECO GenII分子束外延系统，成功生长了GaAs(001)基InGaSb/AlGaSb量子阱，其面载流了密度为0.877X1012/cm2,室温下空穴迁移率达到1000cm2/Vs。
半导体 高电子迁移率晶体管 锑化物量子阱 分子束外延生长
王娟 邢军亮 向伟 王国伟 任正伟 徐应强 贺振宏 牛智川
中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京100083
国内会议
上海
中文
71-72
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）