基于热电场发射理论的单根GaAs纳米线I-V特性分析
针对分子束外延生长单根砷化镓纳米线电性测量表明,非掺杂与掺杂型单根GaAs纳米线的特性具有四种不同的线性:近线性、近对称型,不对称以及完全整流.为了对以上几种特性曲线进行定量分析,建立了单根GaAs纳米线的金属-半导体-金属模型来对实验结果进行拟合.通过该理论模型,我们得到了GaAs纳米线中本征的电学信息如掺杂浓度、载流子迁移率以及电极接触势垒高度.
半导体材料 砷化镓纳米线 分子束外延生长 热电场发射理论
李新化 文龙 赵玉峰 王文博 王玉琦
中科院固体物理研究所 材料物理重点实验室 230031
国内会议
上海
中文
74-75
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）