CdTe/PbTe异质结的分子束外延及其界面二维电子气研究

摘要：

由闪锌矿晶体结构II-VI族化合物半导体CdTe与盐岩矿晶体结构的IV-VI族化合物半导体PbTe构成的CdTe/PbTe异质结,这种异系的半导体异质结构具有共同的Te阴离子和室温下匹配的晶格常数,在半导体中红外光电子器件、电子器件和自旋电子器件具有重要的潜在应用.本文用分子束外延方法生长CdTe/PbTe异质结,反射高能电子衍射(RHEED)显示二维平面生长机制.本文从理论和实验两方面研究了CdTe/PbTe异质结的物理特性.

关键词： 化合物半导体 碲化镉异质结 碲化铅异质结 分子束外延 物理特性

作者: 吴惠桢 蔡春锋 金树强 张兵坡

作者单位: 浙江大学物理系 杭州,浙江 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 79-79

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）