分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe

摘要：

本文描述了实验室分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe的最新研究结果.借助RHEED原位监测工具,对比分析了不同装片工艺条件下(装片工艺过程是否在保护气体氛围中进行)CdZnTe衬底脱氧及后续外延生长CdTe的情况,发现在大气氛围下装片会引起CdZnTe衬底表面形成难以脱附的氧化层,为了确保表面氧化层的正常脱附,CdZnTe衬底的装片工艺必须全程控制在保护气氛下进行.

关键词： 微电子学 碲化物材料 制造工艺 分子束外延 装片工艺

作者: 王伟强 傅祥良 沈川 王莹 张彬 王高 杨凤 陈路 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 80-81

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）