HgCdTe/Si分子束外延材料的多种热退火抑制位错研究
(0) 采用Si基HgCdTe材料制备大规模红外焦平面器件是解决热可靠性问题的有效途径之一,但其高密度的位错是制约获得高性能器件的主要因素.高温热处理作为一种能较有效改善HgCdTe外延中位错密度的方法受到较多的研究关注.前期研究基于Masafumi等人关于GaAs/Si材料在热退火过程中的简单位错运动模型,运用任意坐标系应力与应变的关系,在考虑材料各向异性的前提下,对满足一般双轴应力模型边界条件的异质结构,建立了HgCdTe/CdTe/GaAs(or Si)热失配应变和应力分布模型,获得热退火过程中HgCdTe外延薄膜内部的应力分布情况,从而进一步得到该外延薄膜材料在热退火过程中的位错运动反应模型.
红外焦平面器件 碲镉汞薄膜 硅材料 分子束外延 高温热处理
沈川 陈路 傅翔良 王伟强 王莹 张彬 王高 杨凤 何力
中科院上海技术物理研究所
国内会议
上海
中文
84-85
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）