MgO(110)模板上Cu2O薄膜的控制生长与电性调控
本文利用射频等离了体辅助分子束外延方法，在氧化镁衬底上通过优化界面工艺，制备了电学性能较好的氧化亚铜薄膜。薄膜的电阻率最低可到7.02Ωcm，迁移率为30-40cm2/Vs，载流了浓度约为2.5x1016cm-3，与目前已报道的结果相比，薄膜电学性能得到了较大的改善。薄膜表面比较平整，均方根粗糙度为9.66nm。利用室温反射谱测试可知，氧化亚铜薄膜的带隙宽度为2.46eV。上述结果表明，本文获得了电学性能良好、表面形貌较为平整的p型氧化亚铜材料，为后续的器件研制奠定了坚实的基础。
氧化物半导体 氧化亚铜薄膜 分子束外延生长 电学性能
刘利书 梅增霞 李俊强 梁会力 刘尧平 杜小龙
中科院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100190
国内会议
上海
中文
86-86
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）