GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点分布于侧面，如图1所示，约50％的纳米线由于存在应力使Ga液滴集聚，导致侧壁优先生长，形成分叉GaAs纳米线。研究表明：分叉纳米线量子点是生长在Si衬底上的，为实现Si基光子互联、波导耦合等量子器件提供了新思路，且这种结构不仅具有高品质的单光子发射特性，还具有潜在丰富的量子信息处理功能，如通过控制分义点位置实现多通道量子器件，在量子点周围掺杂实现三端调控量子电学器件等。
化合物半导体 砷化镓纳米线量子点 砷化铟纳米线量子点 分子束外延生长 单光子
喻颖 牛智川 李密锋 查国伟 王莉娟 徐建星 尚向军 倪海桥
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083
国内会议
上海
中文
88-89
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）