Si掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究

摘要：

本文中，首先描述一种基于MBE的高质量工，InAs/GaAs量了点制备技术。研究发现，在量子点形成的某个特定阶段引入Si掺杂可以大幅提高InAs/GaAs量子点材料的光学质量，与未掺杂的参比样品相比，引入Si掺杂量了点的光致荧光(PL)峰值强度增加约36倍。

关键词： 太阳能电池 砷化铟量子点 砷化镓量子点 制造工艺 掺杂技术

作者: 杨晓光 杨涛 季海铭 罗帅 王占国

作者单位: 中科院半导体材料科学重点实验室,中科院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 92-92

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）