硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究
近年来太阳电池产业获得了空前迅猛的发展,对高效太阳电池系统的研发受到了业界的高度重视,最高的光电转换效率记录不断地被刷新.本文在CPV应用系统中，采用MBE或其它真空沉积技术在大面积Si基上生长以CdTe为基础的II-VI族多结电池有希望部分替代III-V族多结电池而获得广泛地应用。理论计算表明，II-VI/Si电池效率高于同节数的III-V/Ge电池效率。尽管II-VI/Si电池结构拥有潜在的性能优势，但由于目前高质量II-VI族单晶薄膜材料生长困难和存在两性掺杂的难题，使II-VI材料未被充分应用于光伏领域。因此，深入开展对Si基CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究，并在此基础上进一步研发新型的多结II-VI族太阳电池将有广阔的发展前景。
太阳能电池 硅基Ⅱ-Ⅵ族同质结材料 制造工艺 外延生长
张理嫩 刘超
中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京 100083
国内会议
上海
中文
93-94
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）