界面可控的MgxZn1-xO/Si外延集成及光电子/微电子器件应用研究

摘要：

本文利用射频等离子体辅助分子束外延设备，开发了硅衬底上金属Be膜的沉积及原位氧化界面控制技术，通过系统研究温度对Be原子在Si(111)衬底上的沉积以及原位氧化行为的影响，获得了有利于制备单畴纤锌矿相氧化物的最佳Be0模板，为开发高质量Si基氧化物提供了新方案。基于这一独特的界面工艺，在Si(111)衬底上获得了Mg组分可在0-50％范围内调谐的高质量纤锌相MgxZnL-x0单晶薄膜。

关键词： 深紫外探测器 氧化物半导体材料 结构分析 性能优化

作者: 梅增霞 梁会力 侯尧楠 叶大千 刘尧平 杜小龙

作者单位: 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 100-101

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）