气态源分子束外延制备GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构材料
本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与InP衬底上材料相比，GaAs衬底上的材料具有同样高的弛豫度和小的剩余应力，但是其材料结晶质量较差并且表面粗糙度较高，与此同时，GaAs衬底上的BaGao.LEAS材料室温下的光致荧光谱较之InP衬底上的弱了一个数量级。
红外探测器 砷化镓结构材料 制造工艺 分子束外延
陈星佑 张永刚 顾溢 周立 方祥 曹远迎 李好斯白音
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
国内会议
上海
中文
107-108
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）