GSMBE生长的InP基扩展波长InGaAs探测器研制
(0) 短波红外波段探测器在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InGaAs是制备该波段探测器的优良材料,InGaAs探测器具有可以室温工作,探测率高等特点,特别适用于空间遥感应用.对于遥感和成像用InGaAs探测器,要求器件具有低噪声和高响应度,也就是说具有较小的暗电流的同时能够具备较高的量子效率,从而增强对微弱信号的探测能力.InP基波长扩展InGaAs探测器通过增加InGaAs吸收层中In的组分使探测器的截止波长向长波扩展,由于吸收层与衬底之间存在较大的晶格失配,会在材料中引入位错,在有源区中形成复合中心,降低器件性能.空间遥感应用要求探测器具有极低的暗电流,钝化等器件制备工艺对于器件性能也具有举足轻重的影响,不理想的器件制备工艺会增大器件的暗电流,同时也会降低器件的光响应.本文中,对InP基扩展波长InGaAs探测器器件制备工艺进行总结研究,并对其器件光电性能进行了分析.本文使用了VG Semicon V80H GSMBE系统生长了InGaAs探测器材料，器件工艺流程中关键工艺为表面清洗，光刻腐蚀台面，钝化保护，电极制作，合金化等。
红外探测器 砷镓铟材料 制造工艺 光电性能
李好斯白音 张永刚 顾溢 陈星佑 周立
中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
国内会议
上海
中文
111-112
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）