InP基扩展波长InGaAs探测器的温度特性分析
1～3μm的短波红外波段覆盖了很多物质的特征吸收谱线,同时也是重要的大气窗口,在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InP基In0.53Ga0.47As探测器(截止波长1.7μm)已经广泛应用与光纤通讯等商业领域,其器件性能也有了详细的研究分析.对于In组分大于0.53的InxGa1-xAs探测器,InxGa1-xAs材料和InP衬底的失配会引入大量的位错,降低器件的性能.本文中,制备了In组分为0.83(截止波长2.6μm)InP基扩展波长InGaAs探测器,并分别对其电学和光学温度特性进行了分析.本文使用了VG Semicon V80H GSMBE系统生长了InGaAs PIN探测器，探测器台面直径为300μm。77K到300K温度范围的I-V特性曲线温度间隔为25K。
光纤通信 铟砷化镓探测器 电学性能 温度特性
周立 张永刚 顾溢 陈星佑 曹远迎 李好斯白音
中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
国内会议
上海
中文
113-114
2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）