分子束外延生长Bi2Te3薄膜

摘要：

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通过螺旋生长的方式会形成三角型岛。依据于三角型岛和螺旋的取向，两个相遇的三维岛可能会平滑接合或者互相排斥从而在相遇处产生形如沟壑的结构缺陷。

关键词： 化合物半导体 热电材料 分子束外延生长

作者: 王庶民 宋禹忻

作者单位: 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系,瑞典哥德堡 查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系,瑞典哥德堡

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 119-120

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）