MBE生长硅基AlN的极性控制及材料特性研究

摘要：

由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底本身是非极性的,在硅衬底上外延氮化物半导体的极性问题成为研究的重点之一.本文主要研究了分子束外延(MBE)生长硅基AlN材料的极性控制、反极性畴的抑制以及材料特性.本文创新性地提出了β相氮化硅铝化的方法来抑制反极性畴的产生,获得了近乎单一极性的AlN薄膜材料.

关键词： 半导体 氮化铝薄膜材料 分子束外延生长 性能分析

作者: 钮浪 胡健楠 鄂炎雄 郝智彪 汪莱 罗毅

作者单位: 清华信息科学与技术国家实验室(筹)清华大学电子工程系,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 122-123

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）