2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证

摘要：

本文通过提高量子阱中In的组分，使发光波长扩展到2pm以上，但是受到临界厚度的限制，In组分和量子阱厚度很难持续提高。实验上获得的最长发光波长被限制在2.3pm左右。通过采用三角量子阱可以在相同的阱层应变量下获得比传统方势阱更长的发光波长，本文制备的三角量子阱结构室温光致发光波长达到了2. 38μm。通过在InP衬底上生长异变缓冲层构筑晶格常数比InP更大的所谓“虚拟衬底”，可以生长阱层厚度更厚的InAs量子阱，从而实现更长的发光波长。

关键词： 激光器 量子阱结构 生长性能 设计模式 器件验证

作者: 顾溢 李好斯白音 张永刚 曹远迎 陈星佑 周立 李爱珍 李耀耀 王凯 方祥

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国分子束外延学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 129-130

在线出版日期: 2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）