低温一步法和三步法制备CIGS薄膜的形貌分析

摘要：

应用多元共蒸发设备分别在PI(聚酰亚胺)衬底上采用一步法和三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜。CIGS薄膜附着性良好,表面平整、光洁。扫描电镜分析两种制备方法所得CIGS薄膜在形貌上存在较大差异。

关键词： 太阳能电池 自接带隙半导体材料薄膜 制备工艺 微观形貌

作者: 张嘉伟 李微 赵彦民 乔在祥

作者单位: 中国电子科技集团公司第十八研究所 化学与物理电源技术重点实验室 天津 300381

会议类型: 国内会议

会议名称: 第30届全国化学与物理电源学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 436-437

在线出版日期: 2013-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）