SU-8厚胶光刻工艺研究
本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难于控制.本文以30μm厚的SU-8为例,详细讨论了前烘温度和时间、曝光时间、中烘温度和时间、显影方式和时间这四个控制要素对光刻胶图形质量的影响.得到的SU-8光刻胶图形侧壁外形陡直,深宽比大(>10),分辨率高(可制出线宽为5μm,甚至2μm的图形),与衬底的附着性强,有望为MEMS提供低成本LIGA型应用.
SU-8 高深宽比 光刻工艺 光刻胶
唐敏 陈迪 赵小林 倪智萍 朱军 李昌敏 毛海平
上海交通大学微纳米科学技术研究院(上海)
国内会议
上海
中文
39-41
2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）