双层发射极结构改善a-Si:H/c-Si异质结太阳电池性能的机理分析
对于a-Si：H/c-Si 异质结太阳电池的发射极，提出采用浅-重掺杂的双层非晶硅薄膜结构取代现行的单层非晶硅薄膜结构。通过AFORS-HET 软件模拟分析，太阳电池转换效率可有显著提升。本文从器件的能带结构、载流子的漂移速度、发射极结构对于电极接触处隧道电流的影响等各方面，对于双层发射极结构对太阳电池性能提升的机理进行了分析。分析结果认为：双层发射极结构可改善太阳电池空间电荷区的载流子的漂移速度，从而提高了器件在短波段的光生载流子的收集效率，提高了器件的短路电流；另外，双层发射极结构还可改善发射极与TCO 层的隧穿电流概率，减少电池串联电阻，提高太阳电池的开路电压。所以双层发射极结构有利于改善a-Si：H/c-Si 异质结太阳电池的转换效率。
a-Si:H/c-Si 双层结构发射极 漂移速度 隧穿概率
黄海宾 高江 周浪
南昌大学太阳能光伏学院
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2012-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）