Doping silicon wafers by use of silicon paste
介绍了一种基于硅浆料的硅片P 型掺杂方法。将掺硼的纳米硅颗粒分散于溶剂中制得P 型的硅浆料,并将其丝网印刷在硅片的表面。热处理后纳米硅颗粒中的硼原子将扩散进入硅片中,对硅片进行掺杂。二次离子质谱和方块电阻的测试结果表明该方法可成功实现对硅片的掺杂。
纳米硅颗粒 丝网印刷 硼掺杂 太阳能电池
Yu Gao Xiaodong Pi Deren Yang
State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
国内会议
上海
英文
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2012-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)