电致发光技术在晶体硅太阳电池中的综合研究
晶体硅太阳电池中缺陷将会影响电池的效率和使用寿命。本文旨在探索利用电致发光技术进行晶体硅太阳电池缺陷的检测与分析。通过实验获得正向偏置电压和反向偏置电压下下晶体硅太阳电池的发光图像,依据其明暗强度来检测太阳电池的缺陷。本文对反向偏压下的位错簇等缺陷做了定性分析。列举了正向偏压下的12类太阳电池缺陷,如断栅,裂纹,位错簇等,将其形成原因归纳为三大类。同时,根据缺陷种类,提出了避免或减少缺陷的建议。
太阳能电池 电致发光 电池缺陷 偏置电压
尹浩平 叶子锐 王学孟 梁璟强 沈辉
中山大学太阳能系统研究所,广州 510006;顺德中山大学太阳能研究院,佛山 528300 中山大学太阳能系统研究所,广州 510006; 顺德中山大学太阳能研究院,佛山 528300
国内会议
上海
中文
1-4
2012-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)