基于曲线拟合的多晶硅片位错缺陷分割方法与缺陷面积统计
多晶硅片材料的质量直接影响到多晶电池片的效率，位错缺陷在多晶硅片中普遍存在，当位错缺陷所占比例较大的时候对多晶硅片的效率影响较大。本文在光致发光检测的基础上，提出一种采用逐行扫描图像得到每一行灰度曲线，并对每一行灰度曲线进行拟合的方法分割出位错缺陷，并且统计出缺陷面积占整个硅片面积的比例。实验证明，本文的方法对位错缺陷的检测和面积比例统计具有高效性和准确性。
位错缺陷 曲线拟合 缺陷分割 缺陷面积
张玮华 薛永胜 刘小宇 肖颖婕
上海太阳能工程技术研究中心有限公司
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2012-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）