高功率RSD开关触发过程建模分析
高功率半导体开关RSD(Reverse Switching Dynistor)具有通流能力强、电流变化率高、功率损耗低等优点，在脉冲功率技术中具有广阔的应用前景。触发参数是影响RSD 导通状况的主要因素之一，为了研究触发电流参数对RSD 基区非平衡载流子浓度分布的影响，利用时域有限差分的方法建立了RSD 触发过程的数值模型。模型仿真结果表明：触发过程中非平衡载流子浓度分布变化剧烈；触发电流注入的电荷量影响n 基区中非平衡载流子的总量；载流子浓度分布的形状主要受触发脉宽的影响；如果载流子寿命小于触发脉宽，载流子寿命对非平衡载流子的浓度分布有很大影响；载流子寿命越低，载流子浓度越低，分布越不均匀。
RSD开关触发过程 数值模型 触发电荷量
王海洋 周竞之 何小平 陈维青 郭帆 谢霖燊 张国伟 陈志强
西北核技术研究所,西安69信箱10分箱,710024
国内会议
贵阳
中文
37-41
2012-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）