用于太赫兹振荡源的InP基共振隧穿二极管

摘要：

　　利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为π×7.52 μm2的器件,峰值电流密度为24kA/cm2,峰谷电流比大于40.通过S参数测试和等效模型参数提取,得到器件阻性截止频率高于150GHz,具有应用于太赫兹固态源的潜力.

关键词： 共振隧穿二极管 空气桥隔离 峰谷电流比I-V特性

作者: 王伟 孙浩 李凌云 孙晓玮

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国太赫兹技术学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 37-40

在线出版日期: 2012-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）